在氧等离子体中对硅蒸汽进行氧化处理，可得到SiOx。阳极电弧工艺使用消耗性硅金属，硅金属置于熔炉内作为真空电弧的阳极。如果在金属阴极和上述熔炉之间施加一个20~30V的直流电压，只要在阴极前存在蒸汽团，就会在阴极和阳极之间产生连续的电弧放电。这一放电可在真空炉体内部产生高活性等离子体，这时，处于高激发状态的硅原子被蒸发，并朝向在蒸汽云上部不断旋转的包装物基底移动。此时，如果向蒸汽中加入氧气，则会在包装物基底表面沉积一层SiOx。

等离子体聚合工艺是一种在基底上生成有机或无机类聚合物涂层的工艺。这一工艺属于等离子体增强化学气相沉积工艺范畴。在PECVD工艺中，将所需成分的蒸汽引入等离子体，等离子体内部的电子将分子电离或裂解为自由基。所生成的活性分子可在表面或在气相环境中发生化学反应，最后经过沉积形成薄膜。成核过程取决于材料表面的形貌以及表面是否存在外来原子。通过上述工艺生成的致密薄膜具有疏水性，且不存在气孔。但是，为了在短时间内生成具备良好品质的薄膜，工艺参数必须进行优化，在阻隔层应用领域，尤其需要对工艺参数进行优化。通过在等离子体环境下裂解硅树脂，可以得到有机硅薄膜。如果使硅原子与氧气、氮气或其混合气体发生反应，则可沉积生成二氧化硅、氧化硅或氮氧化硅薄膜。类金刚石碳薄膜的前驱反应物采用乙炔等有机气体。

与传统CVD工艺相比，等离子脉冲化学气相沉积（PICVD）工艺是一项具有很大改进的工艺。在功率源（一般采用射频或微波功率源）上施加脉冲信号，就可以产生脉冲等离子体。脉冲等离子体可允许涂覆过程中离子具有较低能量。涂层通过一系列小型处理工序逐渐增厚，最终生成一层高度致密的均匀涂层。此外，在两次脉冲之间，可以改变反应混合物的化学组成成分。因此，在同一次工艺运行过程中，可以涂覆多层具备不同性能的涂层，从而生成按需定制的多涂层系统。PICVD工艺制备SiO2和TiO2涂层技术已经广泛应用于各种塑料（如聚对苯二甲酸乙二醇脂（PET）、聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）、聚碳酸酯（PC），共聚环状烯烃（COC）、聚丙烯（PP）和高密度聚乙烯（HDPE））的表面改性。